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74AUP1G3208GF

更新时间: 2024-01-07 01:50:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
19页 71K
描述
Low-power 3-input OR-AND gate

74AUP1G3208GF 技术参数

生命周期:Active包装说明:HVBCC,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:1.6
系列:AUP/ULP/VJESD-30 代码:R-PBCC-B6
长度:1 mm逻辑集成电路类型:OR-AND GATE
湿度敏感等级:1功能数量:1
输入次数:3端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVBCC
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260传播延迟(tpd):20.1 ns
座面最大高度:0.35 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):0.8 V标称供电电压 (Vsup):1.1 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:BUTT
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:0.8 mmBase Number Matches:1

74AUP1G3208GF 数据手册

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74AUP1G3208  
Philips Semiconductors  
Low-power 3-input OR-AND gate  
15. Abbreviations  
Table 14: Abbreviations  
Acronym  
CDM  
CMOS  
DUT  
Description  
Charged Device Model  
Complementary Metal Oxide Semiconductor  
Device Under Test  
ESD  
ElectroStatic Discharge  
Human Body Model  
HBM  
MM  
Machine Model  
TTL  
Transistor Transistor Logic  
16. Revision history  
Table 15: Revision history  
Document ID  
Release date Data sheet status  
<tbd> Preliminary data sheet  
Change notice  
Doc. number  
Supersedes  
74AUP1G3208_1  
-
-
-
74AUP1G3208_1  
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.  
Preliminary data sheet  
Rev. 01.00 — 17 January 2006  
17 of 19  

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