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74AUP1G3208GF

更新时间： 2024-01-25 02:42:49

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
19页	71K
描述
Low-power 3-input OR-AND gate

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74AUP1G3208GF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HVBCC,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.6
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PBCC-B6
长度：	1 mm	逻辑集成电路类型：	OR-AND GATE
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVBCC
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	20.1 ns
座面最大高度：	0.35 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	BUTT
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	0.8 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G3208GF 数据手册

74AUP1G3208

Philips Semiconductors

Low-power 3-input OR-AND gate

XSON6: plastic extremely thin small outline package; no leads; 6 terminals; body 1 x 1.45 x 0.5 mm

SOT886

4×

(2)

6×

(2)

terminal 1

index area

2 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

(1)

UNIT

max max

0.25

0.17

1.5

1.4

1.05

0.95

0.35 0.40

0.27 0.32

0.5 0.04

0.6

0.5

Notes

1. Including plating thickness.

2. Can be visible in some manufacturing processes.

REFERENCES

JEDEC JEITA

OUTLINE

VERSION

EUROPEAN

PROJECTION

ISSUE DATE

IEC

04-07-15

04-07-22

SOT886

MO-252

Fig 12. Package outline SOT886 (XSON6)

74AUP1G3208_1

Preliminary data sheet

Rev. 01.00 — 17 January 2006

15 of 19

1...12 13 141516 17 18 19

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