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74AUP1G04

更新时间： 2024-02-17 02:48:01

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		接口集成电路驱动
页数	文件大小	规格书
18页	397K
描述
Low power single inverter gate

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74AUP1G04 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	30 pF
逻辑集成电路类型：	INVERTER	最大I（ol）：	0.0017 A
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP5/6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	20.9 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

74AUP1G04 数据手册

74AUP1G04

Low power single inverter gate

Features

■ High speed: t = 4.3 ns (max.) at V = 2.3 V

■ Power down protection on inputs and outputs

■ Balanced propagation delays:

t_PLH≈ t

PHL

■ Operating voltage range:

(opr) = 1.2 to 3.6 V

DFN6L

■ Low power dissipation:

= 1 µA (max.) at T = 85 °C

■ Latch-up performance exceeds 300 mA (JESD

78, Class II)

■ ESD performance:

SOT-665

– 2000-V Human-Body Model (A114-A)

– 200-V Machine Model (A115-A)

– 1000-V Charged-Device Model (C101)

Applications

Description

■ Mobile phones

■ Personal digital assistants (PDAs)

The 74AUP1G04 is a low voltage CMOS single

inverter gate fabricated with sub-micron silicon

gate and double-layer metal wiring C MOS

technology. It is ideal for 1.2 to 3.6 V operations

and low power and low noise applications.

All inputs and outputs are equipped with

protection circuits against static discharge, giving

them 2kV ESD immunity and transient excess

voltage.

Table 1.

Device summary

Order code

Package

Packing

74AUPG04DTR

74AUPG04GTR

DFN6L (1.2 x 1 mm)

Tape and reel

SOT-665 (1.6 x 1.6 mm)

March 2008

Rev 1

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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