5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 3.5 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V67803S166PF8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| 71V67803Z150BGG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
|
| 71V67803Z150BGGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, |
|
| 71V67902S80PF9 | IDT |
获取价格 |
TQFP-100, Tray |
|
| 71V67903 | RENESAS |
获取价格 |
3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O Flowthrough SRAM |
|
| 71V6790375BGG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
| 71V6790375BGG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
| 71V6790375BGGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
| 71V6790375BGGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
| 71V6790375BQG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
