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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOP, TSOP44,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V016SA | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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| 71V016SA10BF | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFG | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10BFGI | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016SA10PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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| 71V016SA10PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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