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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | CABGA |
| 包装说明： | BGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 10 ns |
| 其他特性： | ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 7 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.34 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 71V016SA10BFG8 | IDT |
完全替代  |
3.3V CMOS Static RAM |
|
| 71V016SA10BF | IDT |
完全替代 |
CABGA-48, Tray |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V016SA10BFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
|
| 71V016SA10BFGI | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
|
| 71V016SA10PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016SA10PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
|
| 71V016SA10PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
|
| 71V016SA10PHGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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