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70V261S35PFG

更新时间： 2024-01-04 03:37:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 338K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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70V261S35PFG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TQFP
包装说明：LFQFP, QFP100,.63SQ,20针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.24
Samacsys Description：TQFP 14.0 X 14.0 X 1.4 MM最长访问时间：35 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：14 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：100字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装等效代码：QFP100,.63SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.006 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

70V261S35PFG 数据手册

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IDT70V261S/L  
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Waveform of Read Cycles(5)  
tRC  
ADDR  
(4)  
t
t
AA  
(4)  
ACE  
CE  
OE  
(4)  
t
AOE  
(4)  
t
ABE  
UB, LB  
R/W  
(1)  
tOH  
tLZ  
VALID DATA(4)  
DATAOUT  
BUSYOUT  
(2)  
tHZ  
(3,4)  
3040 drw 0  
tBDD  
NOTES:  
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE, CE, LB, or UB.  
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE, OE, LB, or UB.  
3. tBDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY has no  
relation to valid output data.  
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last tAOE, tACE, tAA or tBDD.  
5. SEM = VIH.  
AC Electrical Characteristics Over the  
OperatingTemperatureandSupplyVoltage(5)  
70V261X25  
70V261X35  
Com'l Only  
70V261X55  
Com'l Only  
Com'l  
& Ind  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
WRI TE CYCLE  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
WC  
EW  
AW  
AS  
WP  
WR  
DW  
HZ  
DH  
WZ  
OW  
SWRD  
SPS  
Write Cycle Time  
25  
20  
20  
0
35  
30  
30  
0
55  
45  
45  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Chip Enable to End-of-Write(3)  
Address Valid to End-of-Write  
Address Set-up Time(3)  
Write Pulse Width  
t
t
t
20  
0
25  
0
40  
0
t
Write Recovery Time  
Data Valid to End-of-Write  
Output High-Z Time(1,2)  
Data Hold Time(4)  
t
15  
20  
30  
____  
____  
____  
t
15  
20  
25  
____  
____  
____  
t
0
0
0
Write Enable to Output in High-Z(1,2)  
Output Active from End-of-Write(1, 2,4)  
SEM Flag Write to Read Time  
SEM Flag Contention Window  
15  
20  
25  
____  
____  
____  
t
____  
____  
____  
t
0
5
5
0
5
5
0
5
5
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
t
ns  
3040 tbl 12  
NOTES:  
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).  
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.  
3. To access RAM, CE = VIL and SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH and SEM = VIL. Either condition must be valid for the entire tEW time.  
4. The specification for tDH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although tDH and tOW values will vary over voltage and  
temperature, the actual tDH will always be smaller than the actual tOW.  
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).  
7
6.42  
1...45678910...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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