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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | BGA, PGA84M,11X11 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.4 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-CBGA-B84 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | PGA84M,11X11 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.185 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V26L25GGI8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V26L25GI | IDT | Application Specific SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIG |
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| 70V26L25JG | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V26L25JG8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V26L25JGI | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC |
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| 70V26L25JGI8 | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
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