是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LDCC84,1.2SQ | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.55 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-N84 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.003 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.185 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V26L25JGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
70V26L25JI | IDT |
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PLCC-84, Tube | |
70V26L25JI8 | IDT |
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PLCC-84, Reel | |
70V26L35GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC | |
70V26L35GG8 | IDT |
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SRAM | |
70V26L35GGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V26L35GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V26L35J | IDT |
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PLCC-84, Tube | |
70V26L35JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC | |
70V26L35JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |