是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PLCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC84,1.2SQ | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.55 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.3116 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.003 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.185 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 29.3116 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V26L25JI8 | IDT |
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PLCC-84, Reel | |
70V26L35GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CBGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC | |
70V26L35GG8 | IDT |
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SRAM | |
70V26L35GGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V26L35GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V26L35J | IDT |
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PLCC-84, Tube | |
70V26L35JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC | |
70V26L35JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
70V26L35JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V26L35JGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |