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70V261S35PFG

更新时间： 2024-02-26 19:08:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 338K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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70V261S35PFG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TQFP
包装说明：LFQFP, QFP100,.63SQ,20针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.24
Samacsys Description：TQFP 14.0 X 14.0 X 1.4 MM最长访问时间：35 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：14 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：100字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFQFP
封装等效代码：QFP100,.63SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.006 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

70V261S35PFG 数据手册

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IDT70V261S/L  
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range(1) (VCC = 3.3V ± 0.3V)  
70V261X25  
Com'l  
& Ind  
70V261X35  
Com'l Only  
70V261X55  
Com'l Only  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Version  
COM'L  
Typ.(2)  
Max.  
Typ.(2)  
Max.  
Typ.(2)  
Max.  
Unit  
ICC  
Dynamic Operating  
Current  
(Both Ports Active)  
S
L
100  
100  
170  
140  
90  
90  
140  
120  
90  
90  
140  
120  
mA  
CE = VIL, Outputs Disabled  
SEM = VIH  
(3)  
f = fMAX  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
IND  
S
L
100  
100  
200  
185  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
ISB1  
Standby Current  
(Both Ports - TTL  
Level Inputs)  
COM'L  
IND  
S
L
14  
12  
30  
24  
12  
10  
30  
24  
12  
10  
30  
24  
CE  
SEM  
f = fMAX  
R
= CE  
L
= VIH  
= VIH  
R
= SEM  
L
(3)  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
S
L
14  
12  
60  
50  
(5)  
ISB2  
Standby Current  
(One Port - TTL  
Level Inputs)  
COM'L  
IND  
S
L
50  
50  
95  
85  
45  
45  
87  
75  
45  
45  
87  
75  
CE"A" = VIL and CE"B" = VIH  
Active Port Outputs Disabled,  
(3)  
f=fMAX  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
S
L
50  
50  
130  
105  
SEMR  
= SEM  
L
= VIH  
ISB3  
Full Standby Current  
(Both Ports -  
CMOS Level Inputs)  
Both Ports CE  
L
and  
COM'L  
IND  
S
L
1.0  
0.2  
6
3
1.0  
0.2  
6
3
1.0  
0.2  
6
3
CE  
R
> VCC - 0.2V,  
IN > VCC - 0.2V or  
IN < 0.2V, f = 0(4)  
= SEM > VCC - 0.2V  
V
V
SEM  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
S
L
1.0  
0.2  
6
3
R
L
ISB4  
Full Standby Current  
(One Port -  
CMOS Level Inputs)  
COM'L  
IND  
S
L
60  
60  
90  
80  
55  
55  
85  
74  
55  
55  
85  
74  
CE"A" < 0.2V and  
CE"B" > VCC - 0.2V(5)  
SEM  
R
= SEML > VCC - 0.2V  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
S
L
60  
60  
125  
90  
V
IN > VCC - 0.2V or VIN < 0.2V  
Active Port Outputs Disabled,  
(3)  
f = fMAX  
3040 tbl 09  
NOTES:  
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)  
2. VCC = 3.3V, TA = +25°C, and are not production tested. ICCDC = 80mA (Typ.)  
3. At f = fMAX, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions” of input levels of  
GND to 3V.  
4. f = 0 means no address or control lines change.  
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".  
5
6.42  
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