是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-84 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.65 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 30.6705 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA84M,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 30.6705 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V25S55GG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S55GI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84 | |
70V25S55JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
70V25S55JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S55JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
70V25S55PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V25S55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V25S55PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S55PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
70V26 | RENESAS |
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16K x 16 3.3V Dual-Port RAM |