是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | QCCJ, | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.12 |
最长访问时间: | 55 ns | JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V25S55JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
70V25S55PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
70V25S55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ | |
70V25S55PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
70V25S55PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
70V26 | RENESAS |
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16K x 16 3.3V Dual-Port RAM | |
70V261 | RENESAS |
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16K x 16 3.3V Dual-Port RAM w/Int | |
70V261L25PF | IDT |
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TQFP-100, Tray | |
70V261L25PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V261L25PFG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |