Datasheet > 70V25S35JGI

70V25S35JGI

更新时间： 2024-11-30 21:08:55

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	177K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

70V25S35JGI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	84
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.13
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	S-PQCC-J84
JESD-609代码：	e3	长度：	29.3116 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	84	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	29.3116 mm	Base Number Matches：	1

70V25S35JGI 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V

8K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

IDT70V25S/L

Features

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

◆

IDT70V25 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

BUSY and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 84-pin PGA, 84-pin PLCC and 100-pin TQFP

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)

– Industrial:20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT70V25S

Active:400mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V25L

◆

Active:380mW(typ.)

Standby: 660µW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

◆

bus compatibility

Functional Block Diagram

R/WR

UBR

UBL

LBR

CER

OER

LBL

CEL

OEL

I/O8L-I/O15L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

I/O0L-I/O7L

(1,2)

BUSYL

(1,2)

BUSYR

A12R

A12L

A0L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0R

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CER

OER

R/WR

CEL

OEL

R/WL

SEMR

INTR

SEML

INTL

(2)

M/S

2944 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

MAY 2000

DSC-2944/8

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与70V25S35JGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
70V25S35PF	IDT	获取价格	TQFP-100, Tray
70V25S35PF8	IDT	获取价格	TQFP-100, Reel
70V25S35PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
70V25S35PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM
70V25S35PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
70V25S55GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
70V25S55GG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM
70V25S55GI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84
70V25S55JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX16, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
70V25S55JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM

与70V25S35JGI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70V25S35JGI

70V25S35JGI 技术参数

70V25S35JGI 数据手册

与70V25S35JGI相关器件

与70V25S35JGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

70V25S35JGI

70V25S35JGI 技术参数

70V25S35JGI 数据手册

与70V25S35JGI相关器件

与70V25S35JGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？