是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TQFP |
包装说明: | QFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.24 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.003 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.235 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
70V09L15PFG | IDT |
完全替代 |
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V09L15PFGI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PQFP100 | |
70V09L15PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PQFP100 | |
70V09L20PF9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
70V09L20PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
70V09L20PFG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V09L20PFGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V09L20PFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V09LL15PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM | |
70V09LL15PFG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM | |
70V09LL15PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM |