是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 73728 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 80 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP80,.64SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.195 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V15L25BF | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V15L25J | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
70V15L25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V15S15BFI | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V15S15PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V15S17BFI | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V15S20BFI | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V15S20JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
70V15S20PFI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V15S25BF | IDT |
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CABGA-100, Tray |