是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 147456 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 80 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16KX9 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP80,.64SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.195 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V16L25PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V16S17J8 | IDT |
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PLCC-68, Reel | |
70V16S17PF8 | IDT |
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TQFP-80, Reel | |
70V16S20BFI | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V16S20JI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
70V16S20PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V16S20PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V16S20PFI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 | |
70V16S25BF | IDT |
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CABGA-100, Tray | |
70V16S25BFI | IDT |
获取价格 |
CABGA-100, Tray |