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6116SA35TP

更新时间: 2024-11-18 21:01:07
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 559K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

6116SA35TP 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
针数:24Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.64最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.75 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.191 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

6116SA35TP 数据手册

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6116SA35TP 替代型号

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