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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ24,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6116SA35YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
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| 6116SA35YI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA35YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA45L24 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC24 |
|
| 6116SA45P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA45PGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA45PI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24 |
|
| 6116SA45SO8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |
|
| 6116SA45SOB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |
|
| 6116SA45SOGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-24 |
|
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