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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.08 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 31.75 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.191 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6116SA35TPI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| 6116SA35Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
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| 6116SA35Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA35YB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA35YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
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| 6116SA35YI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA35YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| 6116SA45L24 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC24 |
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