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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6116SA35TPG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA35TPGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA35TPI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA35Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
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| 6116SA35Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA35YB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
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| 6116SA35YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA35YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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