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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ24,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6116SA35Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA35YB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA35YGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
|
| 6116SA35YI | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA35YI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 |
|
| 6116SA45L24 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC24 |
|
| 6116SA45P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| 6116SA45PGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
|
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