是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 15.88 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ24,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6116SA35YI | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | |
6116SA35YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | |
6116SA45L24 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC24 | |
6116SA45P | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
6116SA45PGI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | |
6116SA45PI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24 | |
6116SA45SO8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
6116SA45SOB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
6116SA45SOGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-24 | |
6116SA45SOGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24 |