生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.38 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | J BEND |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6116SA35YG | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 | |
6116SA35YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | |
6116SA35YGI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 | |
6116SA35YI | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | |
6116SA35YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | |
6116SA45L24 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC24 | |
6116SA45P | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
6116SA45PGI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | |
6116SA45PI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24 | |
6116SA45SO8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |