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5SNA0400J6501

更新时间: 2022-04-23 23:00:11
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ABB 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 181K
描述
IGBT Module

5SNA0400J6501 数据手册

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5SNA 0400J650100  
1000  
100  
10  
20  
15  
10  
5
VGE = 0V  
fOSC = 1 MHz  
VOSC = 50 mV  
VCC = 3600 V  
Cies  
Coes  
Cres  
1
IC = 400 A  
Tvj = 25 °C  
0
0.1  
0
1
2
3
4
5
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
Qg [µC]  
VCE [V]  
Fig. 9  
Typical capacitances  
vs collector-emitter voltage  
Fig. 10 Typical gate charge characteristics  
2.5  
2
VCC £ 4400 V, Tvj = 125 °C, VGE = ±15 V  
RGoff = 5.6 ohm, Ls 280 nH  
£
1.5  
1
0.5  
0
Chip  
Module  
0
1000  
2000 3000 4000 5000  
VCE [V]  
6000 7000  
Fig. 11 Turn-off safe operating area (RBSOA)  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA 1592-01 Jun 07  
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