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5SDA27F1702

更新时间： 2024-02-18 17:29:53

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ABB		整流二极管局域网
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2页	33K
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Avalanche Rectifier Diode

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5SDA27F1702 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	F, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	33500 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最大输出电流：	2700 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1700 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

5SDA27F1702 数据手册

ABB Semiconductors AG

5SDA 27F2002

On-state

I_FAVM

I_FRMS

I_FSM

Max. average on-state current

2700 A

4240 A

31.0 kA

33.5 kA

Half sine wave, T_C= 85°C

Max. RMS on-state current

Max. peak non-repetitive

surge current

I_F

10 ms

8.3 ms

10 ms

8.3 ms

T_j=

160°C

After surge:

I²t

Limiting load integral

A²s

4805×10³

4680×10³

V_R» 0V

V_F0

Threshold voltage

Slope resistance

On-state voltage

0.79 V

= 2000 - 6000 A

T_j=

160°C

r_F

0.09

V_{F min}

V_{F max}

1.05 V

1.20 V

I_F

4000 A

25°C

Thermal

T_j

Storage and operating

-40...160°C

junction temperature range

Thermal resistance

junction to case

R_thJC

40 K/kW Anode side cooled

40 K/kW Cathode side cooled

20 K/kW Double side cooled

10 K/kW Single side cooled

5 K/kW Double side cooled

R_thCH

Thermal resistance case to

heat sink

Analytical function for transient thermal impedance:

F_m= 20...24 kN

Z_th

Double Side Cooling

[K/kW]

thJC(t) = R

(1-e^{-t/t i})

i=1

R _(K/kW)

t _i(s)

11.83

0.432

4.26

0.071

1.63

0.01

2.28

3 4

10^-3

^{6 7}10^-2

^{5 6 7}10^-1

t [s]

^{5 5 6}10⁰

^{5 6 7}10¹

0.0054

For a given case temperature T_cat ambient temperature T_athe maximum on-state current can be calculated as follows:

-VF0 + (VF0)²+ 4*f²*r

I_FAVM(A)

P (W)

V_F0(V)

T_a(°C)

r_F(W)

FAVM

T _max(°C)

R_thja(K/kW)

T_c(°C)

R_thJC(K/kW)

2*f²*r

f²=

for DC current

J max - T

2.5

3.1

for half-sine wave

for 120°el., sine

for 60° el., sine

where P =

or P =

Rthjc

Rthja

Doc. No. 5SYA 1127 - 01 Apr-98

ABB Semiconductors AG

Fabrikstrasse 3

CH-5600 Lenzburg, Switzerland

Telephone +41 (0)62 888 6419

Fax

+41 (0)62 888 6306

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