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5SDA10D1703

更新时间： 2024-09-15 03:04:31

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ABB		整流二极管局域网
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2页	33K
描述
Avalanche Rectifier Diode

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5SDA10D1703 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	D, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.35 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	14500 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最大输出电流：	1140 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1700 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDA10D1703 数据手册

Key Parameters

Avalanche Rectifier Diode

V_RRM

I_FAVM

I_FSM

V_F0

2300 V

1140 A

13.5 kA

0.83 V

5SDA 10D2303

r_F

0.30

Doc. No. 5SYA 1120 - 01 Apr-98

Features

· Optimized for line frequency rectifiers

· Low on-state voltage, narrow V_F-bands for parallel operation

· Self protected against transient overvoltages

· Guaranteed maximum avalanche power dissipation

· Industry standard housing

Blocking

Part number 5SDA 10D2303 5SDA 10D2003

5SDA 10D1703 Condition

V_RRM

V_RSM

I_RRM

2300

2530

2000

1700

1870

= 50 Hz

t_P= 10 ms

T_j= 160°C

2200

t_P= 10 ms

V_RRM

50 mA

70 kW

50 kW

P_RSM

t_P= 20 µs

T_j

45°C

T_j= 160°C

Mechanical data

F_M

Mounting force

min.

10 kN

12 kN

max.

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

200 m/s²

0.25 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

30 mm

20.5 mm

ABB Semiconductors AG

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