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5962-8552507TX

更新时间: 2024-01-21 09:38:56
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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1页 36K
描述
x8 SRAM

5962-8552507TX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T28
长度:37.211 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

5962-8552507TX 数据手册

  

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