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5962-8552508TX

更新时间: 2024-02-05 08:06:25
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其他 - ETC 静态存储器
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1页 36K
描述
x8 SRAM

5962-8552508TX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-609代码:e0长度:35.56 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.937 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

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