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5962-8552510TX

更新时间: 2024-02-04 17:03:03
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其他 - ETC 静态存储器
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1页 36K
描述
x8 SRAM

5962-8552510TX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-609代码:e0长度:37.211 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

5962-8552510TX 数据手册

  

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