生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.52 |
最长访问时间: | 55 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 35.56 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.937 mm | 最小待机电流: | 2 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-8552510XX | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 | |
5962-8552510YA | STMICROELECTRONICS |
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8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
5962-8552510YX | ETC |
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x8 SRAM | |
5962-8552510ZX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS | |
5962-8552511XX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 | |
5962-8552511YX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-8552511ZX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962-8552512XX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
5962-8552512YA | WEDC |
获取价格 |
IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP, Static RAM | |
5962-8552512YX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |