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5962-8552510XC

更新时间: 2024-11-04 21:09:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 306K
描述
8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-8552510XC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.52
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
JESD-609代码:e4长度:35.56 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.937 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

5962-8552510XC 数据手册

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