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5962-8552511XX

更新时间: 2024-11-04 20:21:47
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 282K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28

5962-8552511XX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.23Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
长度:35.56 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.937 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

5962-8552511XX 数据手册

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