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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.211 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8552511XX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| 5962-8552511YX | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8552511ZX | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-8552512XX | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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| 5962-8552512YA | WEDC | IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP, Static RAM |
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| 5962-8552512YX | ETC | x8 SRAM |
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