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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.035 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK186FI-UL | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK186FI-UL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4 |
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| 3SK186FI-UR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK186FI-UR | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4 |
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| 3SK189 | SANYO |
获取价格 |
UHF Amp,Mixer Applications |
|
| 3SK191 | ETC |
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| 3SK192 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Met |
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| 3SK192H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| 3SK194 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
|
| 3SK194IY | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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