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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.49 | 最大集电极电流 (IC)： | 17 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 220 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJL21193G | ONSEMI |
功能相似  |
16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS |
|
| 2SA1943OTU | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2STA2510 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STB121PM | ETC |
获取价格 |
DRIVE IC |
|
| 2STBN15D100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage NPN power Darlington transistor |
|
| 2STBN15D100T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage NPN power Darlington transistor |
|
| 2STC2510 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STC4467 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STC4468 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STC4793 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 230V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
|
| 2STC5200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
|
| 2STC5242 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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