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2STBN15D100T4

更新时间： 2024-11-20 12:55:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	109K
描述
Low voltage NPN power Darlington transistor

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2STBN15D100T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.44
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2STBN15D100T4 数据手册

2STBN15D100

Low voltage NPN power Darlington transistor

Features

■ Good h linearity

■ High f frequency

TAB

■ Monolithic Darlington configuration with

integrated antiparallel collector-emitter diode

Application

■ Linear and switching industrial equipment

D²PAK

Description

The device is manufactured in planar technology

with “base island” layout and monolithic

Darlington configuration.

Figure 1.

Internal schematic diagrams

R = 8 kΩ

R = 150 Ω

Table 1.

Order code

2STBN15D100T4

Device summary

Marking

Package

Packaging

BN15D100

D²PAK

Tape and reel

January 2010

Doc ID 16117 Rev 2

1/7

www.st.com

12 3 4 5 6 7

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