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2STF2550

更新时间： 2024-11-21 14:58:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	187K
描述
低压高性能PNP功率晶体管

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2STF2550 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	1.53	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2STF2550 数据手册

2STF2550

2STN2550

Low voltage high performance PNP power transistors

Preliminary Data

Features

■ Very low collector-emitter saturation voltage

■ High current gain characteristic

■ Fast switching speed

■ Surface mounting devices in medium power

SOT-89 and SOT-223 packages

Applications

SOT-223

SOT-89

■ Emergency lighting

■ LED

■ Motherboard and hard disk drive

■ Mobile equipment

■ Battery charger

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Voltage regulation

Description

The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP

transistors manufactured using new “PB-HCD”

(Power bipolar high current density) technology.

The resulting transistor shows exceptional high

gain performances coupled with very low

saturation voltage.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

SOT-89

SOT-223

Packaging

2STF2550

2STN2550

2550

Tape and reel

N2550

November 2008

Rev 1

1/8

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7 8

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