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2STD2360T4

更新时间： 2024-11-20 07:32:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	287K
描述
Low voltage fast-switching PNP power transistors

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2STD2360T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

2STD2360T4 数据手册

2STD2360

2STF2360 - 2STN2360

Low voltage fast-switching PNP power transistors

Features

■ Very low collector-emitter saturation voltage

■ High current gain characteristic

■ Fast-switching speed

SOT-223

SOT-89

Applications

TAB

■ Emergency lighting

■ LED

■ Voltage regulation

■ Relay drive

TO-252 (DPAK)

Internal schematic diagram

Description

Figure 1.

The devices are PNP transistors manufactured

using new “PB-HDC” (power bipolar high density

current) technology. The resulting transistor

shows exceptional high gain performances

coupled with very low saturation voltage.

The complementary NPN types are the

2STD1360T4, the 2STF1360 and the 2STN1360.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Packages

DPAK

Packaging

2STD2360T4

2STF2360

2STN2360

D2360

2360

Tape and reel

SOT-89

N2360

SOT-223

October 2009

Doc ID 13309 Rev 5

1/11

www.st.com

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