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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK795 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK795TX | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK796 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK796A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK797 | NEC |
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N-Channel MOS Field Effect Power Transistor |
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| 2SK798 | NEC |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FIELD POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK799 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
|
| 2SK800 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK801 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2SK801-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
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