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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 108 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK813 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 21A I(D) | SOT-186VAR |
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| 2SK815 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK817 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK818 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK818A | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK819 | NEC |
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FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
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| 2SK820 | RENESAS |
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18A, 250V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK821 | NEC |
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FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK823 | NEC |
获取价格 |
FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
|
| 2SK824 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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