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2SK827

更新时间: 2024-11-19 22:35:55
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日电电子 - NEC 开关
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4页 146K
描述
FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET

2SK827 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.38 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK827 数据手册

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