5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.9 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK797 | NEC |
获取价格 |
N-Channel MOS Field Effect Power Transistor |
|
| 2SK798 | NEC |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FIELD POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK799 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
|
| 2SK800 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK801 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 2SK801-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK801-Z-T2 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK802 | NEC |
获取价格 |
FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
|
| 2SK804 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK805 | PANASONIC |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL POWER F-MOS FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
