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2SK812

更新时间: 2024-11-19 22:35:55
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日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 178K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK812 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.81
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):27 A最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):108 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK812 数据手册

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