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2SK801-Z-T2

更新时间: 2024-11-20 14:47:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN

2SK801-Z-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK801-Z-T2 数据手册

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