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2SK808

更新时间: 2024-11-19 22:47:47
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松下 - PANASONIC /
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2页 212K
描述
Silicon N-channel Power F-MOS FET

2SK808 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK808 数据手册

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