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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK801-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK801-Z-T2 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK802 | NEC |
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FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
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| 2SK804 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK805 | PANASONIC |
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SILICON N-CHANNEL POWER F-MOS FET |
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| 2SK806 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK807 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK808 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK808A | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK809 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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