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2SK4107

更新时间： 2024-09-28 03:56:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 268K
描述
Switching Regulator Applications

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2SK4107 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.34Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：765 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK4107 数据手册

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2SK4107  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI)  
2SK4107  
○Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain−source ON resistance : R  
= 0. 33 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance : |Y | = 8.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
Enhancement mode  
: I  
= 100 μA (max) (V  
= 500 V)  
DSS  
DS  
: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
500  
500  
±30  
15  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
I
60  
A
DP  
1. GATE  
2. DRAIN (HEAT SINK)  
3. SOURCE  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
150  
W
D
AS  
AR  
E
765  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Avalanche current  
I
15  
15  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
TOSHIBA  
2-16C1B  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Weight: 4.6 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
0.833  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance, channel to case  
R
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 5.78 mH, R = 25 Ω, I  
V
DD  
= 15 A  
AR  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2007-02-22  
123456

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