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2SK4029

更新时间： 2024-11-06 14:48:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	564K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMINI3-G1, 3 PIN

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2SK4029 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.42 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4029 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon MOSFETs (Small Signal)

2SK4029

Silicon N-channel MOSFET

For switching circuits

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

 Features

 High-speed switching

 Low ON resistance R_on

 Incorporating a built-in gate protection-diode

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.65) (0.65)

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

Rating

Unit

1.3±0.1

2.0±0.2

V_DSS

V_GSS

I_D

10°

±12

1.0

Peak drain current

I_DP

2.0

Power dissipation

P_D

500

°C

1: Gate

2: Source

3: Drain

Channel temperature

Storage temperature

125

SMini3-G1 Package

stg

–55 to +125

Marking Symbol: 5Z

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DSS

I_DSS

I_GSS

V_TH

I_D= 1 mA, V_GS= 0

V_DS= 20 V, V_GS= 0

1.0

±10

1.4

µA

V_GS= ±8 V, V_DS= 0

I_D= 1 mA, V_DS= 10 V

I_D= 0.5A, V_GS= 4.0 V

I_D= 0.25A, V_GS= 2.5 V

I_D= 500 mA, V_DS= 10 V

0.4

0.9

260

350

1.8

420

550

Drain-source ON resistance

Forward transfer admittance

R_DS(on)

mΩ

Y_fs

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common source)

C_iss

Short-circuit output capacitance

(Common source)

C_oss

C_rss

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common source)

Turn-on time ^*

Turn-off time ^*

t_on

t_off

V_DD= 10 V, V_GS= 0 V to 4 V, I_D= 0.5A

V_DD= 10 V, V_GS= 4 V to 0 V, I_D= 0.5A

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : t_on, t_offmeasurement circuit

V_OUT

90%

20 Ω

10%

V_GS

V_OUT

_GS= 0 V to 4 V

10%

100 µF

V_DD= 10 V

90%

50 Ω

t_on

t_off

Publication date: January 2006

SJF00051AED

12 3

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与2SK4029相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK403	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-247VAR
2SK4033	TOSHIBA	获取价格	Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications
2SK4033(NQ)	TOSHIBA	获取价格	5A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK4033(TE16L1,F)	TOSHIBA	获取价格	Power Field-Effect Transistor
2SK4034	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications
2SK4034(TE24L)	TOSHIBA	获取价格	2SK4034(TE24L)
2SK4034(TE24L,Q)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
2SK4035	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK4035-A	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK4035-T2B-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-346

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