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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK4033(NQ)
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2SK4033(NQ)

更新时间： 2024-11-09 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲电机驱动
页数 文件大小 规格书
6页 241K
描述
5A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SK4033(NQ) 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：40.5 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK4033(NQ) 数据手册

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2SK4033  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS III)  
2SK4033  
Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z 4 V gate drive  
z Low drain−source ON-resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 0.07 Ω (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 6.0 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 60 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 0.8~2.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
60  
60  
±20  
5
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
V
GSS  
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
20  
20  
A
DP  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single-pulse avalanche energy  
P
W
D
AS  
AR  
E
40.5  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
2-7B1B  
Avalanche current  
I
5
2
A
Weight: 0.36 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
125  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
R
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
th (ch−a)  
Thermal resistance, channel to  
ambient  
R
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: V = 25 V, T = 25°C (initial), L = 2.2 mH, R = 25 Ω, I = 5 A  
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-11-20  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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2SK4036-AZ NEC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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