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2SK3102-01R

更新时间: 2024-01-12 14:50:35
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12页 871K
描述
MOSFETs

2SK3102-01R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):433.7 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK3102-01R 数据手册

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